高爐常用的三種碳化硅磚
碳化硅磚的主要特征是SiC為共價結(jié)合,不存在通常的燒結(jié)性,依靠化學(xué)反應(yīng)生成新相達(dá)到燒結(jié)。我國1985年在鞍鋼5號高爐上使用Si3N4-SiC磚并獲得成功經(jīng)驗后,迅速在大型高爐上推廣應(yīng)用。目前,我國高爐用質(zhì)碳化硅磚主要品種有Si3N4-SiC磚、Sialon-SiC磚和自結(jié)合(β-SiC結(jié)合)SiC磚。
1、Si3N4-SiC磚
Si3N4-SiC磚是用SiC和Si粉為原料,經(jīng)氮化后燒成的耐火制品。SiC、Si3N4都是共價鍵化合物,燒結(jié)非常困難。在多級配的SiC顆粒和細(xì)粉中,加入磨細(xì)的工業(yè)硅粉,Si與N2在高溫下進(jìn)行2N2+3Si→Si3N4反應(yīng)燒結(jié)。反應(yīng)時生成的Si3N4與SiC顆粒緊密結(jié)合而形成以Si3N4為結(jié)合相的碳化硅磚。研究發(fā)現(xiàn),大多數(shù)Si3N+結(jié)合相為針狀或纖維狀結(jié)構(gòu),存在于SiC顆粒周圍或SiC顆粒的孔隙處,Si3N4呈縱橫交錯的結(jié)構(gòu)與SiC顆粒緊密結(jié)合,使之具有很高的常溫和高溫強(qiáng)度。
2、Sialon-SiC磚
在1700℃時,在Si3N4-Al4N4-Al4O6-Si3O6所構(gòu)成的正方形相圖中,有以Si3N4為起點向4/3(Al2O3,A1N)延伸,組成在相當(dāng)大范圍內(nèi)變化的β-Sialon相,有以Si2N2為起點大體向X相方向延伸,組成在較小范圍內(nèi)變化的O-Sialon相。在Si3N4-SiC制品的生產(chǎn)過程中,加入適量加入物,使氧進(jìn)入Si3N4晶格,生成一定數(shù)量的β-Sialon固熔體相,從而可以制造出Sialon-SiC磚。
3、自結(jié)合SiC磚
在工業(yè)α-SiC原料中加入工業(yè)硅和碳,在高溫還原氣氛下發(fā)生Si(s)+C→SiC(s)的反應(yīng),生成β-SiC,與原生高溫型α-SiC顆粒結(jié)合,制出自結(jié)合SiC材料,使制品具有良好的性能。表3為我國生產(chǎn)的SiC質(zhì)耐火制品與國外的SiC質(zhì)耐火制品的理化指標(biāo),與國外同類產(chǎn)品相比,我國生產(chǎn)的SiC質(zhì)耐火制品各方面指標(biāo)均達(dá)到了國外同類產(chǎn)品的水平。
高爐冷卻壁碳化硅磚砌筑要點
現(xiàn)代高爐的爐腹以上砌體已較多地采用冷卻壁鑲磚代替光面冷卻壁,(冷卻壁材質(zhì)多為鑄鐵,爐腹部位有采用銅冷卻壁的)或僅在爐身上部采用3 ~4段鑲磚冷卻壁,磚壁一體化,不再砌筑內(nèi)襯磚,大大縮短了筑爐施工工期。
冷卻壁的鑲磚多采用冷鑲法,雖對冷卻壁制作時燕尾槽的尺寸公差和平整度等質(zhì)量要求較高,但鑲磚砌體的質(zhì)量較有保證。鑲磚材質(zhì)多為碳化桂磚或氮化硅結(jié)合的碳化硅磚,用碳化硅泥漿砌筑。
冷卻壁碳化硅磚砌筑要點是:
(1) 冷卻壁出廠前,應(yīng)逐塊檢査,驗收和交接。筑爐重點檢査的內(nèi)容是:冷卻壁外形尺寸和表面平整度,燕尾槽的形狀、尺寸和光滑程度,進(jìn)出水管是否加蓋,塑料封蓋等。
(2) 冷卻壁進(jìn)場后,用吊車或行車翻轉(zhuǎn),砌磚面朝上。銅冷卻壁鑲磚砌筑在專門操作架上進(jìn)行,嚴(yán)禁冷卻壁進(jìn)出水管道直接接觸地面。鑄鐵冷卻壁可不用專門操作架,但翻轉(zhuǎn)后也應(yīng)墊平、放穩(wěn)。
(3) 冷卻壁“燕尾槽”表面毛刺、浮銹和污物應(yīng)清掃干凈。
(4) 嚴(yán)格按使用說明書攪拌砌筑泥漿,每次攪拌量不宜過多,當(dāng)班泥漿當(dāng)班用完。泥漿應(yīng)有一定的常溫粘結(jié)強(qiáng)度,否則砌筑后應(yīng)進(jìn)行烘烤處理,以避免再次翻轉(zhuǎn)運(yùn)輸時,發(fā)生松動、脫落現(xiàn)象。
(5) 冷卻壁碳化硅磚砌筑,一般是逐排由一側(cè)向另一側(cè)進(jìn)行,在允許范圍內(nèi)調(diào)整磚縫厚度,保證砌體兩面與冷卻壁端面平齊。砌體表面應(yīng)細(xì)心勾縫。
(6) 冷卻壁碳化硅磚施工過程中,嚴(yán)禁踩踏和敲擊冷卻水管。
(7) 碳化硅磚完畢后,應(yīng)逐塊檢查驗收并交接。
(8) 碳化硅磚后,一般應(yīng)靜置48h后才能翻轉(zhuǎn)倒運(yùn)。翻轉(zhuǎn)運(yùn)輸時,要注意進(jìn)出水管的保護(hù),嚴(yán)防碰撞。
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